邓辉

助理教授

智能制造创新中心

E-mail: dengh@sustc.edu.cn
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       邓辉， 2016年2月毕业于日本大阪大学精密科学与技术专业，获得博士学位。之后加入新加坡制造技术研究院加工技术组，担任研究科学家（Research Scientist），展开等离子辅助加工，电化学机械抛光等课题的理论研究和工业应用。主持日本以及新加坡科研项目多项，在制造领域顶级杂志International Journal of Machine Tools and Manufacture以及CIRP Annals-Manufacturing Technology上发表论文多篇。共三次在国际生产工程科学院年会（CIRP General Assembly）上作口头报告（2013，2014，2015）。2014年获得由日本工作机械技术振兴协会颁发的工作机械技术振兴奖。2015年获得由中国留学基金委颁发的国家优秀自费留学生奖学金。2016年获得由国际光学工程学会（SPIE）颁发的Rudolf Kingslake Award。

研究领域

原子尺度超精密抛光，大气压等离子复合加工，电化学复合加工等。

教育经历

2013.04~2016.03   大阪大学（日本），精密科学与技术专业         博士

2011.04~2013.03   大阪大学（日本），精密科学与技术专业         硕士

2006.09~2010.06   华中科技大学，机械设计制造及其自动化专业  学士

工作经历

2017.07~至 今        南方科技大学机械与能源工程系                  助理教授

2016.03~ 2017.06  新加坡制造技术研究院加工技术组               研究科学家

2013.04~2016.03   日本学术振兴会（JSPS）                            特别研究员

2010.08~2011.03   大阪大学（日本），超精密科学研究中心    实验助理

所获荣誉

2016.09，  国际光学工程学会（SPIE）颁发的Rudolf Kingslake Award（排名第三）

2015.02，  中国留学基金委颁发的国家优秀自费留学生奖学金

2014.10，  第十届中日超精密加工国际会议（CJUPM2014）最佳报告奖

2014.06，  日本工作机械技术振兴协会颁发的工作机械技术振兴奖（排名第一）

2014.05，  日本马扎克财团（Mazak）颁发的杰出论文奖

2013.11，  日本磨粒技术协会颁发的最佳报告奖

2013.03，  第九届中日超精密加工国际会议（CJUPM2013）优秀学生奖

2012.09，  第十届加工技术进展国际会议（ICPMT2012）最佳报告奖

2011.11，  第四届亚洲精密工程与纳米技术国际会议（ASPEN2011）最佳论文奖

2011年-2013年，  住友电工财团奖学金

代表性学术论文

(1) Hui Deng, Katsuyoshi Endo and Kazuya Yamamura: Damage-free finishing of CVD-SiC by a combination of dry plasma etching and plasma-assisted polishing, International Journal of Machine Tools and Manufacture 155 (2017) 38-46. (SCI, Q1)

(2) Hui Deng, Katsuyoshi Endo and Kazuya Yamamura: Atomic-scale and pit-free flattening of GaN by combination of plasma pretreatment and time-controlled chemical mechanical polishing, Applied Physics Letter 107 (2015) 051602 1-4. (SCI, Q1)

(3) Hui Deng, Katsuyoshi Endo and Kazuya Yamamura: Plasma-assisted polishing of gallium nitride to obtain a pit-free and atomically flat surface, CIRP Annals-Manufacturing Technology 64 (2015) 531-534. (SCI, Q1)

(4) Hui Deng, Katsuyoshi Endo and Kazuya Yamamura: Competition between surface modification and abrasive polishing: a method of controlling the surface atomic structure of 4H-SiC (0001), Scientific Reports 5 (2015) 8947 1-6. (SCI, Q1)

(5) Hui Deng, K. Hosoya, Y. Imanishi, Katsuyoshi Endo and Kazuya Yamamura: Electro-chemical mechanical polishing of single-crystal SiC using CeO2 slurry, Electrochemistry Communications 52 (2015) 5-8. (SCI, Q1)

(6) Hui Deng, K. Monna, T. Tabata, Katsuyoshi Endo and Kazuya Yamamura: Optimization of the plasma oxidation and abrasive polishing processes in plasma-assisted polishing for high effective planarization of 4H-SiC, CIRP Annals-Manufacturing Technology 63 (2014) 529-532. (SCI, Q1)

(7) Hui Deng, Masaki Ueda and Kazuya Yamamura: Characterization of 4H-SiC (0001) surface processed by plasma assisted polishing, International Journal of Advanced Manufacturing Technology 72 (2014) 1-7. (SCI, Q2)

(8) Hui Deng, Katsuyoshi Endo and Kazuya Yamamura: Comparison of thermal oxidation and plasma oxidation of 4H-SiC (0001) for surface flattening, Applied Physics Letter 104 (2014) 101608 1-5. (SCI, Q1)

(9) Hui Deng, Katsuyoshi Endo and Kazuya Yamamura: Atomic-scale planarization of 4H-SiC (0001) by combination of thermal oxidation and abrasive polishing, Applied Physics Letter 103 (2013) 111603 1-4. (SCI, Q1)

(10) Hui Deng and Kazuya Yamamura: Atomically Flattening Mechanism of 4H-SiC (0001) in Plasma-assisted Polishing, CIRP Annals-Manufacturing Technology 62 (2013) 575-578. (SCI, Q1)